MJE210

Name: MJE210
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7104435-MJE210
Price: 1.667779 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 25伏最大功率: 1.5瓦特征频率: 65MHz 供应商设备包装: SOT-32-3
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

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规格参数

晶体管类别即插即用
集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
安装类别通孔
工作温度 150摄氏度（TJ）
部件状态过时的
集电极击穿电压 25伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
特征频率 65MHz
最大功率 1.5瓦
最大集电极电流 (Ic) 5 A
包装/外壳至225AA，至126-3
供应商设备包装 SOT-32-3
最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 1.8V@1A，5A
最小直流增益 45 @ 2A, 1V

MJE210 产品详情

双极功率晶体管设计用于低电压、低功率和高增益音频放大器应用。MJE200（NPN）和MJE210（PNP）是互补设备。

特色

集电极-发射极维持电压-VCEO（sus）=25 Vdc（最小值）@IC=10 mAdc
高直流电流增益-hFE=70（最小）@IC=500 mAdc hFE=45（最小）@IC=2.0 AdchFE=10（最小）@1C=5.0 Adc
低集电极-发射极饱和电压-VCE（sat）=0.3 Vdc（最大值）@IC=500 mAdc VCE（sat）=0.75 Vdc（最大）@IC=2.0 Adc
高电流增益-带宽乘积-fT=65 MHz（最小）@IC=100 mAdc
低泄漏环形结构——ICBO=100 nAc@额定VCB
提供无铅包装

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
MJE182G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 1.5瓦特征频率: 50MHz 供应商设备包装: TO-126	¥1.25013
MJE253G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 1.5瓦特征频率: 40MHz 供应商设备包装: TO-126	¥1.85418
MJE243G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 4A 集电极击穿电压: 100伏最大功率: 1.5瓦特征频率: 40MHz 供应商设备包装: TO-126	¥1.2791
MJE3055TG	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 75 W 特征频率: 2MHz 供应商设备包装: TO-220	¥6.80833
MJE180STU	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 3A 集电极击穿电压: 40伏最大功率: 1.5瓦特征频率: 50MHz 供应商设备包装: TO-126-3	¥4.9976
MJE5730G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 300伏最大功率: 40瓦特征频率: 10MHz 供应商设备包装: TO-220	¥15.64466
MJE5852G	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 8 A 集电极击穿电压: 400伏最大功率: 80 W 供应商设备包装: TO-220	¥25.06043
MJE2955TTU	安盛美 (onsemi)	晶体管类别: 即插即用最大集电极电流 (Ic): 10A 集电极击穿电压: 60 V 最大功率: 75 W 特征频率: 2MHz 供应商设备包装: TO-220-3	¥3.57799
MJE13003DI1-G	蓝箭 (BLUE ROCKET)	(20-30)	¥0.38402
MJE13003L-TA3-T		--	¥0.77038

MJE210所属分类：分立双极结型晶体管，MJE210 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MJE210价格参考￥1.667779，你可以下载 MJE210中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MJE210规格参数、现货库存、封装信息等信息！