9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的BCW33T116，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BCW33T116参考价格为1.56美元。Rohm Semiconductor BCW33T116封装/规格：TRANS NPN 32V 0.1A SST3。您可以下载BCW33T116英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BCW33LT1G是TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23，包括BCW33L系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为300mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为100mA，集电器-发射极击穿最大值为32V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为420@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为250mV@500μa，10mA，集电器截止最大值为100nA（ICBO），Pd功耗为225 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为32 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.25 V，集电极基极电压VCBO为32 V、发射极基极电压VEBO为5 V，并且最大DC集电极电流为0.1A，且连续集电极电流是0.1A，并且DC集电极基本增益hfe Min是420，且DC电流增益hfe Max是800。
BCW33LT3G是双极晶体管-BJT 100mA 32V NPN，包括0.050717盎司的单位重量，它们设计为与NPN晶体管极性一起工作。数据表说明中显示了用于BCW33L的系列，该系列提供了225 mW等Pd功耗功能，包装设计为在卷筒中工作，以及SOT-23-3包装箱，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为100 mA，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为420，连续集电极电流0.1 a，集电极-发射极电压VCEO Max为32 V，集电极-发射器饱和电压为250 mV，集电极基极电压VCBO为32 V。
BCW33R，带有ITT制造的电路图。BCW33R采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
