9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW13009,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STW13009参考价格为0.272美元。STMicroelectronics STW13009包装/规格:TRANS NPN 400V 12A TO247。您可以下载STW13009英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STW12NK80Z是MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-247,包括SuperMESH?系列,它们设计用于管式包装,单位重量如数据表注释所示,用于1.340411盎司,具有通孔等安装方式功能,包装箱设计用于to-247-3,以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为通孔,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的TO-247-3,配置为单一,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为190W,晶体管类型为1 N通道,漏极至源极电压Vdss为800V,输入电容Cis-Vds为2620pF@25V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为10.5A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为750 mOhm@5.25A,10V,Vgs最大Id为4.5V@100μA,栅极电荷Qg Vgs为87nC@10V,Pd功耗为190 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为20 ns,上升时间为18ns,Vgs栅极-源极电压为30V,Id连续漏极电流为10.5A,Vds漏极-源极击穿电压为800V,Rds导通漏极-漏极电阻为750mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为70ns,典型接通延迟时间为30ns,Qg栅极电荷为87nC,并且前向跨导Min为12S,并且信道模式为增强。
STW12NK90Z是MOSFET N-CH 900V 11A TO-247,包括4.5V@100μA Vgs th Max Id,它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于900 V,提供单位重量功能,如1.340411 oz,典型开启延迟时间设计为31 ns,以及88 ns典型关闭延迟时间,该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件采用Si技术,该器件具有供应商器件封装的TO-247-3,系列为SuperMESH?,上升时间为20 ns,Rds On Max Id Vgs为880 mOhm@5.5A,10V,Rds On漏极-源极电阻为880 mOhm,Qg栅极电荷为113 nC,功率最大值为230W,Pd功耗为230 W,封装为管,封装外壳为TO-247-3,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),通道数为1通道,安装类型为通孔,安装类型为穿孔,其最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,输入电容Ciss Vds为3500pF@25V,Id连续漏电流为11 A,栅极电荷Qg Vgs为152nC@10V,FET类型为MOSFET N沟道,金属氧化物,FET特性为标准,下降时间为55ns,漏极到源极电压Vdss为900V,电流连续漏极Id 25°C为11A(Tc),配置为单通道,通道模式为增强型。
STW12NK95Z是MOSFET N-CH 950V 10A TO-247,包括增强信道模式,它们设计为以单一配置运行,数据表注释中显示了55 ns的下降时间,提供了最小正向跨导特性,如12 S,Id连续漏电流设计为在10 a下工作,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃。此外,安装类型为通孔,设备提供1通道数通道,设备具有TO-247-3封装盒,封装为管,Pd功耗为230 W,漏极电阻Rds为690 mOhms,上升时间为20 ns,系列为N通道MDmesh,技术为Si,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为1N沟道,典型关断延迟时间为88ns,典型接通延迟时间为31ns,单位重量为1.340411oz,Vds漏极-源极击穿电压为950V,Vgs栅极-源极电压为30V。
STW12NC60采用STW12NC6制造的EDA/CAD模型。STW12NC60采用TO247封装,是IC芯片的一部分。