9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的2STR1230，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2STR1230参考价格为0.222美元。STMicroelectronics 2STR1230包装/规格：TRANS NPN 30V 1.5A SOT-23。您可以下载2STR1230英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2STR1215是TRANS NPN 15V 1.5A SOT-23，包括500V晶体管系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可用作SOT-23-3供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为500mW，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为1.5A，集电极-发射极击穿最大值为15V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@500mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为850mV@200mA，2A，集电极截止最大值为100nA（ICBO），Pd功耗为500mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为15 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为15 V；发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为1.5 A，并且连续集电极电流为1.5A，并且DC集电极基极增益hfe Min在50mA时在2V时为200，在0.5A时为0.5A，在2A时为130，在2V下为80A。
2STR1160是TRANS NPN 60V 1A SOT-23，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在430mV@100mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.007090 oz，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在NPN中工作，以及SOT-23-3供应商设备包，该器件也可以用作500V晶体管系列。此外，最大功率为500mW，该器件提供500mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR替代封装，封装外壳为TO-236-3、SC-59、SOT-23-3，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，且最大DC集电极电流为1A，发射极基极电压VEBO为5V，且DC电流增益hFE Min Ic Vce为180@500mA，2V，并且DC电流增益h FE Max在0.5A时为180，2V时为180；DC集电极基极增益hFE Min在0.5A下为180，5V时为85，1A时为1A，且集电极截止最大值为100nA（ICBO），且配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为60V，集电极-基极电压VCBO为60V。
2STR1215/带有ST制造的电路图。2STR1215/SOT-23封装提供，是晶体管（BJT）的一部分-单个。
