9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DSS5240TQ-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DSS5240TQ-7参考价格为0.39000美元。Diodes Incorporated DSS5240TQ-7包装/规格：TRANS PNP 40V 2A SOT23。您可以下载DSS5240TQ-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到所需的信息，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如DSS5240TQ-7价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
DSS5220V-7是TRANS PNP 20V 2A SOT-563，包括DSS52系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-563供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为600mW，该设备具有晶体管型PNP，集电器Ic最大值为2A，集电器-发射极击穿最大值为20V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为155@1A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为390mV@200mA，2A，集电器截止最大值为100nA，频率转换为150MHz，Pd功耗为600mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-20 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为-80 mV，集电极基极电压VCBO为-20 V，发射极基极电压VEBO为-5V，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽乘积fT为150MHz，连续集电极电流是-2A，直流集电极基极增益hfe最小值为220，直流电流增益hfe最大值为220。
DSS5160U-7是TRANS PNP 60V 1A SOT-323，包括60V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在340mV@100mA、1A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000212盎司，提供晶体管类型功能，如PNP，晶体管极性设计为在PNP下工作，以及SOT-323供应商设备包，该设备也可以用作DSS51系列。此外，最大功率为400mW，该设备提供400mW Pd功耗，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为SC-70、SOT-323，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为-2A，增益带宽积fT为150MHz，频率转换为150MHz；发射极基极电压VEBO为-5V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为150@500mA，5V，直流电流最大增益hFE最大值为200（1mA，5V），直流集电极基极增益hFE最小值为100（1A5V），集电极Ic最大值为1A，集电极截止电流最大值为100nA，配置为单，集电极发射极电压VCEO最大值为-60 V，集电极-发射极饱和电压为-340 mV，集电极基极电压VCBO为-80 V。
DSS5160V-7是TRANS PNP 60V 1A SOT-563，包括80 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在330 mV集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于60 V，提供配置功能，如单直流集电极基基增益hfe Min设计为在100，除了5V发射极基极电压VEBO之外，该器件还可以用作150MHz增益带宽产品fT，Pd功耗为600mW，系列为DSS51，晶体管极性为PNP，单位重量为0.000106盎司。
DSS5160T-7是TRANS PNP 60V 1A SOT23，包括SOT-23-3封装盒，它们设计用于SMD/SMT安装方式，配置如数据表注释所示，用于单芯片，提供卷轴、晶体管极性等封装功能，设计用于PNP，以及DSS51系列，该设备也可以用作150 MHz增益带宽产品fT。此外，直流集电极基极增益hfe Min在-1 A-5 V时为100，该器件的单位重量为0.000282盎司，其最大工作温度范围为+150 C，集电极基电压VCBO为-80 V，集电极-发射极电压VCEO Max为-60 V，发射极基极电压VEBO为-5 V，集极-发射极饱和电压为-340 mV，最大直流集电极电流为-2A。
