9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US6T7TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US6T7TR价格参考1.855734美元。Rohm Semiconductor US6T7TR封装/规格：TRANS PNP 30V 1.5A TUMT6。您可以下载US6T7TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US6T4TR是TRANS PNP 12V 3A TUMT6，包括US6T4系列，它们设计用于卷筒包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如UMT-6，配置设计用于单台，以及1000 mW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为12 V，该器件采用PNP晶体管极性，该器件具有15 V的集电极基极电压VCBO，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为3 a，增益带宽积fT为280 MHz，直流集电极基极增益hfe Min为270，直流电流增益hfe Max为270，在2 V时为500 mA。
US6T5TR是双极晶体管-BJT双极PNP，包括PNP晶体管极性，它们设计为与US6T5系列一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于1000 mW，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于UMT-6，以及SMD/SMT安装样式，其最大工作温度范围为+150 C。此外，最大直流集电极电流为2A，该设备以280 MHz增益带宽产品fT提供，该设备具有6 V的发射极基极电压VEBO，在2 V时200 mA时，直流电流增益hFE Max为270，直流集电极基极增益hFE Min为270，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，集电极基电压VCBO为30 V。
US6T6TR是双极型晶体管-BJT PNP Bipolar 30V 2A，包括30 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在30 V集极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表说明所示，用于单体，提供直流集电极基极增益hfe Min功能，如270，直流电流增益hfe Max设计为在2 V下200 mA时工作270，除了6V发射极基极电压VEBO外，该器件还可以用作360MHz增益带宽产品fT，晶体管极性为PNP。
