9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US6X5TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US6X5TR价格参考0.098美元。Rohm Semiconductor US6X5TR封装/规格：TRANS NPN 12V 2A TUMT6。您可以下载US6X5TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US6U37TR是MOSFET N Chan30V+/-1.5A 2.5V驱动器，包括US6U37系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供TUMT-6等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9 ns，上升时间为9纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极-源极电阻为240mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
US6X4TR是双极晶体管-BJT双极NPN，包括NPN晶体管极性，它们设计为与US6X4系列一起工作，Pd功耗如数据表注释所示，用于1000 mW，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于UMT-6，以及SMD/SMT安装样式，其最大工作温度范围为+150 C。此外，最大直流集电极电流为2A，该设备以280 MHz增益带宽产品fT提供，该设备具有6 V的发射极基极电压VEBO，在2 V时200 mA时，直流电流增益hFE Max为270，直流集电极基极增益hFE Min为270，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，集电极基电压VCBO为30 V。
US6X4是ROHM制造的TRANS NPN 30V 2A TUMT6。US6X4采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS NPN 30V 2A TUMT6。
