9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US6X6TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。US6X6TR价格参考0.15美元。Rohm Semiconductor US6X6TR封装/规格:TRANS NPN 30V 1.5A TUMT6。您可以下载US6X6TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US6X4TR是双极晶体管-BJT双极NPN,包括US6X4系列,它们设计为使用卷轴封装,安装方式如SMD/SMT中使用的数据表说明所示,提供封装盒功能,如UMT-6,配置设计为单级工作,以及1000 mW Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C。此外,集电极-发射极电压VCEO Max为30 V,该器件采用NPN晶体管极性,该器件具有30 V的集电极基极电压VCBO,发射极基极电压VEBO为6 V,最大直流集电极电流为2 a,增益带宽积fT为280 MHz,在2 V时,200 mA时,直流集电极基基增益hfe Min为270,直流电流增益hfe Max为270。
US6X5TR是双极晶体管-BJT NPN Bipolar 12V 2A,包括NPN晶体管极性,它们设计为与US6X5系列一起工作,Pd功耗显示在数据表注释中,用于1000 mW,提供卷盘等封装功能,封装盒设计用于UMT-6,以及SMD/SMT安装样式,它的最大工作温度范围为+150℃。此外,最大直流集电极电流为2A,该设备以360 MHz增益带宽产品fT提供,该设备具有6 V的发射极基极电压VEBO,在2 V时200 mA时直流电流增益hFE Max为270,直流集电极基极增益hFE Min为270,配置为单一,集电极-发射极电压VCEO Max为12V,集电极-基极电压VCBO为15V。
US6X6,电路图由ROHM制造。US6X6在SOT363封装中提供,是晶体管(BJT)-单体的一部分。