9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL72，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL72参考价格为1.597734美元。STMicroelectronics STL72包装/规格：TRANS NPN 400V 1A TO-92。您可以下载STL72英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL70N4LLF5是MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 6X5，包括STripFET？V系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装盒功能，如8-PowerVDFN，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装类型。此外，供应商设备包是PowerFlat？（6x5），该器件采用MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型，该器件最大功率为4W，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1800pF@25V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为70A（Tc），最大电流Rds Id Vgs为6.5mOhm@9A、10V，Vgs th最大Id为1V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为13nC@4.5V，Pd功耗为4W60W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为+/-22 V，Id连续漏极电流为18 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，漏极-源极电阻Rds为6.1mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为13nC。
带有用户指南的STL6P3LLH6，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于30 V，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为24 ns，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为P沟道STripFET，器件的上升时间为15 ns，器件的漏极-源极电阻为30mOhms，Qg栅极电荷为12nC，Pd功耗为2.9W，封装为卷轴式，封装盒为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为6 A，下降时间为21 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
STL70N10F3是MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6，包括增强信道模式，它们设计为在5.7 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于16 a，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于PowerFlat-8，以及卷筒封装，该器件也可以用作136W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为56nC，器件的漏极-源极电阻为8.4mOhms Rds，器件的上升时间为11ns，串联为STL70N10F3，技术为Si，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为43ns，典型接通延迟时间为17ns，Vds漏极-漏极击穿电压为100V，Vgsth栅极-源极阈值电压为4V。
STL71L采用ST制造的EDA/CAD模型。STL71LL采用TO-92封装，是IC芯片的一部分。
