硅NPN三扩散平面型用于高击穿电压高速开关
特色
高速开关高集电极到基极电压VCBO宽安全操作区域(ASO)正向电流传输比hFE的令人满意的线性封装的介质击穿电压:>5kV
起订量: 1
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硅NPN三扩散平面型用于高击穿电压高速开关
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