9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STL106D，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STL106D参考价格为0.17576美元。STMicroelectronics STL106D封装/规格：TRANS NPN 230V 1.5A TO-92。您可以下载STL106D英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STL105NS3LLH7是MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT56，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如PowerFlat-8，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供62.5 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.5 ns，上升时间为10.4 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为27 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.2V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为31.8ns，典型接通延迟时间为26.4ns，Qg栅极电荷为13.7nC，沟道模式为增强型。
STL100N6LF6是MOSFET N-Ch 60V 0.0038 Ohm 22A STripFET VI MOS，包括2.4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于20 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，该器件也可以用作N沟道STripFET系列。此外，Rds漏极源极电阻为4.5毫欧，器件提供130 nC Qg栅极电荷，器件具有80 W Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为PowerFlat-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为14 a，配置为单通道。
STL100N8F7，带有ST制造的电路图。STL100N6F7以TDSON-8封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单个、，并支持“MOSFET N沟道80 V、N沟道80V 100A（Tc）4.8W（Ta）、120W（Tc）表面贴装PowerFlat？（5x6）、Trans MOSFET N-CH 80V 100V 8引脚功率Flat EP T/R、MOSFET N信道80 V、5.2 mOhm典型值、100 A STripFET F7功率MOSFET，采用PowerFlat 5x6封装。
STL100NH3LL是由ST制造的MOSFET N-CH 30V 100A PWRFLAT6X5。STL100NH3LL采用8-PowerVDFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH30V 100B PWRFLAT6 X5、N沟道30V 100C（Tc）80W（Tc）表面安装PowerFlat？（6x5）。
