9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的BULB903EDT4，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BULB903EDT4参考价格为0.342美元。STMicroelectronics BULB903EDT4包装/规格：TRANS NPN。您可以下载BULB903EDT4英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如BULB903EDT4价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BULB39D-1是TRANS NPN 450V 4A D2PAK，包括BULB39系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.079014盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于D2PAK-3，以及单一配置，该设备也可用作70000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为450 V，晶体管极性为NPN，集电极基极电压VCBO为800 V，发射极基极电压VEBO为9 V，最大直流集电极电流为4 a，连续集电极电流4 a，并且DC集电极基极增益hfe Min在5V时在5A时为4，在5V时为10mA时为10。
BULB742C-1是双极晶体管-BJT H/V FST SWCH PW TRNS，包括0.081130 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BULB742C，具有70000 mW等Pd功耗特性，包装设计用于管，以及to-220封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为4 a，发射极基极电压VEBO为15 V，直流电流增益hFE Max为48，直流集电极基极增益hFE Min在100 mA时为48，在5 V时为25，在800 mA时为3 V，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为400V。
BULB49DT4是双极晶体管-BJT Hi-Vltg快速开关NPN功率晶体管，包括850 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在450 V集电极-发射极电压VCEO最大值下工作，配置如数据表说明所示，用于单体，提供直流集电极基基增益hfe最小值功能，如10，发射极基极电压VEBO设计为在10 V下工作，以及5 A最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件采用SMD/SMT安装方式，该器件具有D2PAK封装盒，封装为卷轴式，Pd功耗为80000 mW，系列为BULB49D，晶体管极性为NPN，单位重量为0.070548盎司。
BULB39DT4采用ST制造的EDA/CAD模型。BULB39DT 4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
