INCHANGE半导体isc硅NPN功率晶体管描述·集电极电流-IC=0.8A·集电极-发射极击穿电压-：V（BR）CEO=30V（Min）·对2N2907型应用的补充·设计用于通用开关和线性放大。绝对最大额定值（Ta=25℃）SYMBOL参数VCBO集电极基极电压VCEO VEBO集电极发射极电压发射极基极电压IC集电极电流连续IBM基极电流峰值PC集电极功率Dissipation@TC=25℃TJ结温度Tstg存储温度热特性SYMBOL参数Rth j-a热阻，连接至环境isc产品规范2N2222 VALUE 60 30 5 0.8 0.2 0.5 150-65 ~ 150 UNIT V V A A W℃MAX 350 UNIT K/W isc INCHANGE半导体isc硅NPN功率晶体管isc产品规格2N2222电气特性TC=25℃，除非另有规定SYMBOL参数条件V（BR）CEO V（BR电压IC=10mA；IB=0 IE=10μA；IC=0 VCE（sat）-1集电极-发射极饱和电压VCE（sat）-2集电极-辐射极饱和电压VBE（sat）-1基极-发射极-饱和电压VBA；IB=15mA IC=500mA；IB=50mA IC=150mA；IB=15mA IC=500mA；IB=50mA VCB=50V；IE=0 VEB=5V；IC=0 hFE-1直流电流增益hFE-2直流电流增益h FE-3直流电流增益H FE-4直流电流增益hFE-5直流电流增益fT电流增益带宽乘积COB输出电容开关时间IC=0.1A；VCE=10V IC=1mA；VCE=10V IC=10mA；VCE=10V IC=150mA；VCE=10V IC=500mA；VCE=10V IC=20mA；VCE=20V；ftest=100MHz IE=0；VCB=10V；ftest=1.0MHz td延迟时间tr上升时间tstg存储时间tf下降时间IC=150mA；IB1=-IB2=15mA最小最大单位30 V 5V 0.4 V 1.6 V 1.3 V 2.6 V 1.5 uA 50 nA 35 50 75 100 300 30 250 MHz 8 pF 10 ns 25 ns 200 ns 60 ns isc[…]
