硅平面外延PNP晶体管
绝对最大额定值
1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W
特征
1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器
应用
1.一般用途
2.高速饱和开关
起订量: 20
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硅平面外延PNP晶体管
绝对最大额定值
1.集电极基极电压:VCBO=-60 V
2.集电极-发射极电压:VCEO=-40 V
3.发射极基极电压:VEBO=-5 V
4.连续集电极电流:IC=-600mA
5.TA=25°C时的总功耗:PD=600mW
6.TC=25°C时的总功耗:PD=3W
特征
1.硅平面外延PNP晶体管
2.CECC筛选选项
3.低噪声放大器
应用
1.一般用途
2.高速饱和开关
Solid State Inc.提供全面的高品质组件产品线,包括晶体管、二极管、整流器、肖特基整流器、SCR、DIAC、TRIAC和齐纳管。有各种各样的传统引线插入安装和表面安装封装可供选择。固态品牌的...