该器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 单片达林顿配置
- 集成反并联集电极-发射极二极管
起订量: 1
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该器件采用平面技术制造,具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
自1974年以来,Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前,设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...