1.直流电流增益–hFE=20-70@IC=4.0 Adc
2.集电极−发射极饱和电压–VCE(sat)=1.1 Vdc(最大)@IC=4.0 Adc
3.卓越的安全操作区
4.这些是无铅设备*
特色
- 直流电流增益hFE=20-70@IChFE=4.0 Adc
- 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)=1.1 Vdc(最大)@ICVCE(sat)=4.0 Adc
- 卓越的安全操作区
- 提供无铅包装
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1.直流电流增益–hFE=20-70@IC=4.0 Adc
2.集电极−发射极饱和电压–VCE(sat)=1.1 Vdc(最大)@IC=4.0 Adc
3.卓越的安全操作区
4.这些是无铅设备*
自1974年以来,Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前,设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...