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2SD1766T100P是双极晶体管-BJT DVR NPN 32V 2A，包括卷轴封装，它们设计为在0.004603盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-89，配置设计为在单级工作，以及2000 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为32 V，该器件具有晶体管极性NPN，集电极基极电压VCBO为40 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为2 a，增益带宽乘积fT为100 MHz，且连续集电极电流为2A，且DC集电极基极增益hfe最小值为82，且DC电流增益hfe最大值为82。
2SD1766T100Q是TRANS NPN 32V 2A SOT-89，包括0.004603 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，Pd功耗如数据表注释所示，用于10W，提供卷盘等包装功能，包装盒设计用于SOT-89以及SMD/SMT安装样式，其最低工作温度范围为-55℃，它的最大工作温度范围为+150℃，该器件的最大直流集电极电流为2.5 A，该器件具有100 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max为390，直流集电极基极增益hFE Min为120，连续集电极电流是2A，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为32V，集电极-基极电压VCBO为40V。
2SD1766-R，电路图由CESEAES制造。2SD1766-R采用SOT-89封装，是IC芯片的一部分。
