9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US6X4TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US6X4TR参考价格为0.418美元。Rohm Semiconductor US6X4TR封装/规格：TRANS NPN 30V 2A TUMT6。您可以下载US6X4TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US6T9TR是TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT，包括US6T9系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如6-TSSOP、SC-88、SOT-363，安装类型设计用于表面安装，以及UMT6供应商设备封装，该设备也可以用作双配置。此外，功率最大值为400mW，该器件采用2 PNP（双）晶体管类型，该器件具有1A的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为30V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为270@100mA，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为350mV@25mA，500mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为320MHz，Pd功耗为1000 mW，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，晶体管极性为PNP，集电极基极电压VCBO为-30 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为1 A，增益带宽积fT为320 MHz，持续集电极电流为-1A，直流集电极基极增益hfe最小值为270，直流电流增益hfe最大值为270。
US6U37TR是MOSFET N Chan30V+/-1.5A 2.5V驱动器，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于7 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如15 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列为US6U37，器件的上升时间为9 ns，器件的漏极-源极电阻为240 mOhms，Pd功耗为1 W，封装为卷轴式，封装盒为TUMT-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.5 A，下降时间为9 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
US6X4是ROHM制造的TRANS NPN 30V 2A TUMT6。US6X4采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS NPN 30V 2A TUMT6。
