9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的US6T4TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。US6T4TR参考价格为0.356美元。Rohm Semiconductor US6T4TR封装/规格：TRANS PNP 12V 3A TUMT6。您可以下载US6T4TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US6M2TR是MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6，包括US6M2系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如6-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在TUMT6供应商设备包中提供，该设备具有1个N信道1个P信道配置，FET类型为N和P信道，最大功率为1W，晶体管类型为1个N通道1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V、20V，输入电容Cis-Vds为80pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.5A，1A，最大Id Vgs的Rds为240mOhm@1.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为2.2nC@4.5V，Pd功耗为1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为6 ns 10 ns，上升时间为9 ns 8 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为1.5A 1A，Vds漏极-源极击穿电压为30V-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhm，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为15ns 25ns，典型接通延迟时间为7ns 9ns，沟道模式为增强型。
US6T4是ROHM制造的TRANS PNP 12V 3A TUMT6。US6T4采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS PNP 12V 3A TUMT6。
US6T4 TR是ROHM制造的TRANS PNP 12V 3A TUMT6。US6T4 TR采用6-TSSOP、SC-88、SOT-363封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS PNP 12V 3A TUMT6。
