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JATX2N7334是MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB，包括军用MIL-PRF-19500/597系列，设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于14-DIP（0.300“，7.62mm）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于通孔，以及MO-036AB供应商设备包，该设备也可以用作4 N沟道FET类型。此外，最大功率为1.4W，器件提供100V漏极到源极电压Vdss，器件具有FET特性标准，电流连续漏极Id 25°C为1A，最大Id Vgs的Rds为700mOhm@600mA，10V，Vgs最大Id为4V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V。
JATX2N7335是MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于与MO-036A B供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于军用MIL-PRF-19500/599，提供Rds on Max Id Vgs功能，如1.4 Ohm@500mA，10V，Power Max设计用于1.4W，以及散装包装，该器件也可作为14-DIP（0.300“，7.62mm）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有4个P型FET通道，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id为25°C，为750mA。
JATX2N7237是由IR制造的Trans-MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin（3+Tab）TO-254AA。JATX2N7217可用于IC封装，是IC芯片的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin（3+Tab）TO-254A。
