这些器件采用平面技术制造，具有“基岛”布局和单片达林顿配置。所得到的晶体管显示出与非常低的饱和电压耦合的优异的高增益性能。
特色
- 低集电极-发射极饱和电压
- 互补NPN-PNP晶体管
TIP121
- 描述:晶体管类别: NPN-达林顿 最大集电极电流 (Ic): 5 A 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 65 W 特征频率: 4MHz 供应商设备包装: TO-220-3
- 品牌: 中央半导体 (Central)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2.34347
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.34
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规格参数
- 安装类别 通孔
- 晶体管类别 NPN-达林顿
- 集电极击穿电压 80 V
- 工作温度 -65摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 制造厂商 中央半导体 (Central)
- 部件状态 过时的
- 特征频率 4MHz
- 集电极最大截止电流 500A
- 最大集电极电流 (Ic) 5 A
- 包装/外壳 至220-3
- 最大功率 65 W
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 4V @ 20毫安, 5A
- 最小直流增益 1000@3A，3V
- 供应商设备包装 TO-220-3
TIP121 产品详情
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TIP121所属分类：分立双极结型晶体管，TIP121 由 中央半导体 (Central) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TIP121价格参考￥2.343469，你可以下载 TIP121中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TIP121规格参数、现货库存、封装信息等信息！
中央半导体 (Central)
自1974年以来，Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前，设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...
