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2N3772G是TRANS NPN 60V 20A TO3，包括2N3772系列，它们设计用于托盘包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-204AA、to-3等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及to-3供应商设备包，该设备也可作为单一配置使用。此外，功率最大值为150W，该器件为NPN晶体管型，该器件具有20A的电流收集器Ic Max，电压收集器发射极击穿最大值为60V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为15@10A，4V，Vce饱和最大值Ib Ic为4V@4A，20A，电流收集器截止最大值为10mA，频率转换为200kHz，Pd功耗为150 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为1.4 V，集电极基极电压VCBO为100 V，发射极基极电压VEBO为7 V，并且最大DC集电极电流为20A，增益带宽乘积fT为200kHz，并且连续集电极电流是20A，并且DC集电极基本增益hfe Min为15。
2N3773G是TRANS NPN 140V 16A TO3，包括140V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.4V@800mA、8A Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN，提供晶体管极性特性，如NPN，供应商设备包设计为在to-3以及2N3773系列中工作，该设备也可以用作150W最大功率。此外，Pd功耗为150W，该设备采用托盘包装，该设备具有TO-204AA、TO-3封装盒，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-65℃，最高工作温度范围+200℃，最大直流集电极电流为16 A，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为15@8A，4V，直流集电极基极增益hFE Min为15，集电极Ic Max为16A，集电极截止电流最大值为10mA，连续集电极电流是16 A，配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为140 V，集电极-发射极饱和电压为1.4V，集电极-基极电压VCBO为160V。
2N3773是TRANS NPN 140V 16A TO-3，包括160 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在4 V集电极-发射极饱和电压下工作，集电极-发射器电压VCEO Max如数据表注释所示，用于140 V，提供连续集电极电流功能，如16 a，除了7 V发射极基极电压VEBO之外，该器件还可以用作4 MHz增益带宽产品fT。此外，最大直流集电极电流为30 A，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围是-65 C，安装方式为通孔，封装外壳为TO-3，封装为管式，Pd功耗为150000 mW，系列为2N3773，晶体管极性为NPN，单位重量为0.225789盎司。
