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BC 847B E6433是双极晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括BC 847BB系列，它们设计为使用卷轴包装，零件别名如数据表注释所示，用于BC847BE6433HTMA1 BC847BE7433XT SP000010576，提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为200 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为6 V，且最大DC集电极电流为0.1A，且增益带宽乘积fT为250MHz，且连续集电极电流是0.1A，并且DC集电极基本增益hfe Min为110，且DC电流增益hfe Max为800。
BC 847BW H6327是双极晶体管-BJT AF晶体管，包括0.002116盎司的单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于BC 847B W，提供Pd功耗功能，如250 mW，零件别名设计用于BC847BWH6327XT BC847BWH 6327XTSA1 SP000746930，以及卷筒包装，该装置也可以用作SOT-323封装盒。此外，安装类型为SMD/SMT，该器件的最大直流集电极电流为100 mA，该器件具有250 MHz的增益带宽乘积fT，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE Max在2 mA和5 V时为800，直流集电极基极增益hFE Min在10 uA和5 V下为110，连续集电极电流是100 mA，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，集电极-发射器饱和电压为250 mV，集电极基极电压VCBO为50 V。
BC 847BW E6433是双极型晶体管-BJT NPN硅AF晶体管，包括50 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在45 V集电极-发射极电压VCEO Max下工作，配置如数据表说明所示，用于单体，提供直流电流增益hFE Max功能，例如在5 V时2 mA时200，发射极基极电压VEBO设计为在6 V下工作，除了250 MHz增益带宽产品fT之外，该器件还可以用作0.1 A最大直流集电极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装式SMD/SMT，封装外壳为SOT-323，封装为卷筒，零件别名为BC847BWE6433XT，Pd功耗为250mW，晶体管极性为NPN，单位重量为0.002116盎司。
