9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SCR523V1T2L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SCR523V1T2L参考价格为0.272美元。Rohm Semiconductor 2SCR523V1T2L封装/规格：TRANS NPN 50V 0.1A VML。您可以下载2SCR523V1T2L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2SCR523UBTL是TRANS NPN 50V 0.1A UMT3F，包括2SCR523UB系列，它们设计用于与Digi-ReelR替代包装包装一起操作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供SC-85等封装盒功能，安装类型设计用于表面安装，以及UMT3F供应商设备包，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为200mW，该器件为NPN晶体管型，该器件具有100mA的集电极Ic最大值，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为120@1mA、6V，Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@5mA、50mA，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为350MHz，Pd功耗为200mW，其最大工作温度范围为+150 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.1 V，集电极基极电压VCBO为50 V、发射极基极电压VEBO为5 V，增益带宽积fT为350 MHz，且连续集电极电流为200mA，且DC集电极基极增益hfe Min为120，且DC电流增益hfe Max为560。
2SCR523EBTL是双极晶体管-BJT NPN通用放大晶体管，包括NPN晶体管极性，它们设计为与Si技术一起工作，数据表说明中显示了用于2SCR523EB的系列，该系列提供了150 mW等Pd功耗功能，封装设计为在卷筒中工作，以及EMT-3F封装盒，该器件也可以用作SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为200 mA，增益带宽积fT为350 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流电流增益hFE Max为560，6 V时为1 mA，并且DC集电极基极增益hfe Min在1mA和6V时为120，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO Max为50V，集电极/发射极饱和电压为0.1V，集极基极电压VCBO为50V。
2SCR523MT2L带电路图，包括100nA（ICBO）集电器最大截止电流，设计用于100mA集电器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于120@1mA，6V，提供350MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及SMD/SMT安装类型，该装置也可用作SOT-723包装箱。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件提供150mW最大功率，该器件具有2SCR523M系列，供应商器件封装为VMT3，晶体管类型为NPN，Vce饱和最大Ib-Ic为300mV@5mA，50mA，电压集电极-发射极击穿最大值为50V。
