9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的2SCR372PT100R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2SCR372PT100R参考价格为0.328美元。Rohm Semiconductor 2SCR372PT100R封装/规格：TRANS NPN 120V 0.7A MPT3。您可以下载2SCR372PT100R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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2SCR293PT100是双极晶体管-BJT Trans GP BJT NPN 30V 1A，包括2SCR293P系列，它们设计为使用卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供MPT-3等封装盒功能，配置设计为在单模式下工作，以及2 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为30 V，该器件采用NPN晶体管极性，该器件的集电极-发射器饱和电压为0.12 V，集电极基极电压VCBO为30 V；发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为1 a，并且增益带宽乘积fT是320MHz，并且DC集电极基本增益hfe Min是270，并且DC电流增益hfe Max是680。
2SCR372PT100Q是双极晶体管-BJT Trans GP BJT NPN 120V 0.7A，包括NPN晶体管极性，它们设计用于2SCR372P系列，Pd功耗显示在数据表注释中，用于0.5W，提供卷轴等封装功能，封装盒设计用于MPT3，以及SMD/SMT安装样式，该器件还可以用作220 MHz增益带宽乘积fT。此外，发射极基极电压VEBO为6 V，该器件以390 mA DC电流增益hFE Max提供，该器件具有120的DC集电极基极增益hFE Min，集电极-发射极电压VCEO Max为120 V，集电极基极电压VCBO为120 V。
2SCC3355，电路图由NEC制造。2SCC3355在T0-92封装中提供，是IC芯片的一部分。
