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2SC5200东芝晶体管硅NPN三扩散型2SC5200功率放大器应用单位：mm•••高击穿电压：VCEO=230 V（min）与2SA1943互补适用于100-W高保真音频放大器的输出级最大额定值（Tc=25°C）特性集电极基极电压集电极发射极电压集极基极电压电流收集器功耗（Tc=25°C）结温存储温度范围符号VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg额定值230 5 15 150−55至150单位V V V A W°C JEDEC JEITA TOSHIBA――2-21F1A电气特性（Tc=225°C）特性收集器截止电流发射器截止电流收集器发射器击穿电压符号ICBO IEBOV（BR）CEO hFE（1）直流电流增益（注）hFE（2）集电极-发射极饱和电压基极-发射极电压过渡频率集电极输出电容VCE（sat）V
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
深圳市质超微电子有限公司(SPTECH)是一家专业从事功率器件开发、设计、生产、销售为一体的高科技企业。自2003年成立以来，16年来不断技术创新,人才和设备引进，确保每一只产品符合业界最高标准。自主品...
