9icnet为您提供Diotec Semiconductor设计和生产的MMDT5111W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MMDT5111W参考价格为0.05667美元。Diotec Semiconductor MMDT5111W封装/规格：DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA。您可以下载MMDT5111W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MMDT4413-7-F是TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363，包括MMDT44系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000212盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于6-TSSOP、SC-88、SOT-363以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-363供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备提供200mW最大功率，该设备具有晶体管型NPN、PNP，集电极Ic最大值为600mA，集电极-发射极击穿最大值为40V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@150mA、1V/100@150mA、2V，Vce饱和最大Ib Ic为750mV@50mA、500mA，频率转换为250MHz、200MHz，Pd功耗为0.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，晶体管极性为NPN PNP，集电极发射极饱和电压为0.75 V，集电极基极电压VCBO为60 V，发射极基极电压VEBO为6 V，且最大DC集电极电流为0.6A，且增益带宽积fT为250MHz，且连续集电极电流是0.6A，并且DC集电极基本增益hfe Min为100，且DC电流增益hfe Max为300。
MMDT4413-7是TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363，包括40V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在750mV@50mA、500mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于NPN、PNP，提供供应商设备包功能，如SOT-363，功率最大值设计为200mW，以及切割带（CT）封装，该装置也可以用作6-TSSOP、SC-88、SOT-363包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备提供250MHz、200MHz的频率转换，该设备具有100@150mA、1V/100@150mA、2V的直流电流增益hFE最小Ic-Vce，集电器Ic最大值为600mA。
MMDT4413，电路图由SECOSGMBH制造。MMDT4413采用SOT363封装，是晶体管（BJT）阵列的一部分。
MMDT4413 K13，带有CJ制造的EDA/CAD模型。MMDT4413 K13采用SOT-363封装，是IC芯片的一部分。
