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DDTB113ZC-7-F

  • 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 500 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-23-3
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 1.88315 1.88315
10+ 1.55722 15.57224
100+ 0.82713 82.71390
500+ 0.54408 272.04350
1000+ 0.37004 370.04000
3000+ 0.33375 1001.25900
6000+ 0.29022 1741.33800
15000+ 0.24669 3700.39500
30000+ 0.23213 6964.05000
75000+ 0.21764 16323.67500
  • 库存: 46985
  • 单价: ¥1.88315
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.88
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 发射极电阻 (R2) 10千欧姆
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 最大功率 200毫瓦
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 至236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 供应商设备包装 SOT-23-3
  • 基极电阻 (R1) 1千欧姆
  • 最小直流增益 56 @ 50毫安, 5V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 2.5毫安, 50毫安
  • 特征频率 200兆赫
  • 晶体管类别 PNP-预偏
  • 最大集电极电流 (Ic) 500 mA

DDTB113ZC-7-F 产品详情

DDTB113ZC-7-F所属分类:单个预偏置双极晶体管,DDTB113ZC-7-F 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DDTB113ZC-7-F价格参考¥1.883154,你可以下载 DDTB113ZC-7-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DDTB113ZC-7-F规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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