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1N5062TR是DIODE AVLANCHE 800V 2A SOD57，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司的包装，提供安装类型特征，如通孔，包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为4μs，电容Vr F为40pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在2.5A时为1.15 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为4000ns。
1N5062TAP是DIODE AVLANCHE 800V 2A SOD57，包括800V Vr反向电压，它们设计为在1.15V@2.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的电压直流反向Vr Max，它提供了2.5A时1.15 V的正向电压特性，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为4μs，该设备的恢复时间为4000 ns，该设备具有标准的产品恢复整流器，包装为磁带盒（TB），包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μA@800V，电流平均整流Io为2A，配置为单一，电容Vr F为40pF@0V，1MHz。
1N5075，带有NS制造的电路图。1N5075在TSOP-16封装中提供，是IC芯片的一部分。
1N5147A，采用KNOX/AEROFLEX制造的EDA/CAD模型。是IC芯片的一部分。
