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BC856-T是双极晶体管-BJT PNP 0.1A 65V LN，包括卷轴封装，它们设计为在0.007090盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如SOT-23，配置设计为单体工作，以及250 mW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，集电极-发射极电压VCEO Max为65 V，该器件采用PNP晶体管极性，该器件的集电极-发射器饱和电压为0.65 V，集电极基极电压VCBO为80 V，发射极基极电压VEBO为5 V，最大直流集电极电流为0.1 a，并且增益带宽乘积fT是100MHz，并且DC集电极基本增益hfe Min是125，并且DC电流增益hfe Max是475。
BC856SH6327XTSA1是TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363，包括65V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在650mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于2 PNP（双），提供供应商设备包功能，如PG-SOT363-6，系列设计用于BC856，以及250mW最大功率，该设备也可以用作856S BC BC856SH6327XT H6327 SP000747446零件别名。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备采用6-VSSOP、SC-88、SOT-363包装盒，该设备具有安装型表面安装，频率转换为250MHz，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，集电器Ic最大值为100mA，集电器截止最大值为15nA（ICBO）。
带有电路图的BC856SF，包括15nA（ICBO）集流器最大截止电流，它们设计用于100mA集流器Ic Max，DC电流增益hFE Min Ic Vce，如数据表注释所示，用于110@2mA，5V，提供100MHz等频率转换功能，安装类型设计用于表面安装，以及6-TSSOP，SC-88，SOT-363包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）包装。此外，功率最大值为400mW，该设备为汽车AEC-Q101系列，该设备具有SOT-363供应商设备包，晶体管类型为2 PNP（双），Vce饱和最大值Ib-Ic为300mV@5mA，100mA，电压集电极-发射极击穿最大值为65V。
BC856T是NXP制造的TRANS PNP 65V 0.1A SC-75。BC856T以SC-75、SOT-416封装形式提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS PNP 65V 0.1A SC-75。
