9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BC847BVC-7-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BC847BVC-7-F参考价格为0.448美元。Diodes Incorporated BC847BVC-7-F封装/规格：IC晶体管阵列SOT563。您可以下载BC847BVC-7-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BC847BV-7是TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563，包括BC847B系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000106盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于SOT-563、SOT-666以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-563供应商设备包。此外，该配置为双重配置，该设备的最大功率为150mW，该设备具有2个晶体管型NPN（双重），集电极Ic最大值为100mA，集电极-发射极击穿最大值为45V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，Vce饱和最大值Ib Ic为300mV@5mA，100mA，且集电极截止最大值为15nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为150mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为45 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为300 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，且发射极基极电压VEBO为6V，且最大DC集电极电流为0.1A，且增益带宽乘积fT为100MHz，且连续集电极电流是0.1A，并且DC集电极基极增益hfe Min在5V时为200mA时为200，且DC电流增益hfe Max在5V时2mA时为450。
BC847BVC-7是TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT563，包括45V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在300mV@5mA、100mA Vce饱和最大值Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.000106 oz，提供晶体管类型功能，如2 NPN（双），晶体管极性设计为在NPN下工作，以及SOT-563供应商设备包，该设备也可以用作BC847B系列。此外，最大功率为150mW，该器件提供150mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为SOT-563、SOT-666，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，最大直流集电极电流为100mA，增益带宽积fT为100MHz，频率转换为100MHz；发射极基极电压VEBO为6V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为200@2mA，5V，直流集电极基极增益hFE最小为200，2mA 5V，集电极Ic最大为100mA；集电极截止最大为15nA（ICBO），并且该配置是双重的，并且集电极-发射极电压VCEO Max是45V，并且集极-发射极饱和电压是300mV，集电极-基极电压VCBO是50V。
BC847BV/DG，带有NXP制造的电路图。BC847BV/DG采用SOT666封装，是IC芯片的一部分。
