9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N3762L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N3762L参考价格为31.23000美元。Microchip Technology 2N3762L封装/规格：PNP晶体管。您可以下载2N3762L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N3741A是双极晶体管-BJT PNP Pwr Trans 80V 4.0A 25W，包括2N3741系列，它们设计用于散装封装，零件别名如数据表注释所示，用于BK，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于2N3741，以及to-66-2封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，该配置为单一配置，该设备提供25 W Pd功耗，最大工作温度范围为+200 C，最小工作温度范围是-65 C，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，晶体管极性为PNP，集电极/发射极饱和电压为0.6 V，集电极基极电压VCBO为60 V，且发射极基极电压VEBO为7V，且最大DC集电极电流为10A，且增益带宽乘积fT为4MHz，且DC集电极基极增益hfe Min在10V下50mA时为25，且DC电流增益hfe Max在1V下250mA时为200。
2N3741是双极晶体管-BJT。，包括PNP晶体管极性，它们设计为使用Si技术操作，数据表注释中显示了用于2N3741的系列，该2N3741提供了25 W等Pd功耗功能，封装设计为在管中工作，以及to-66-2封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最低工作温度范围为-65 C，它的最大工作温度范围为+200℃，该器件的最大直流集电极电流为10 a，增益带宽积fT为4 MHz，发射极基极电压VEBO为7 V，直流电流增益hFE Max在1 V时为250 mA时为200，直流集电极基极增益hFE Min在10 V时为50 mA时为25，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，集电极-发射极饱和电压为0.6V，集电极-基极电压VCBO为60V。
2N3762是双极晶体管-BJT PNP晶体管，包括通孔安装型，它们设计用于to-39封装外壳。
