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1N4150_T50R，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）封装，设计用于DO-204AH、DO-35、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-35，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@50V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@200mA，该器件提供50V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA电流平均整流Io，反向恢复时间trr为6ns，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N4150_T50A，带用户指南，包括1V@200mA电压正向Vf最大值。如果设计为在50V电压直流反向Vr最大值下运行，则DO-35中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备包提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr，设计为在6ns内工作，以及磁带盒（TB）封装，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为175°C（最大值），该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为2.5pF@0V，1MHz。
1N4150-1是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括200MA电流平均整流Io，它们设计用于100nA@50V电流反向泄漏Vr，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-35供应商设备包，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
