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JATXV2N7335是MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB,包括军用MIL-PRF-19500/599系列,它们设计用于散装包装,数据表注释中显示了用于14-DIP(0.300“,7.62mm)的包装箱,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),安装类型设计用于通孔,以及MO-036AB供应商设备包,该设备也可以用作4 P沟道FET类型。此外,最大功率为1.4W,该器件提供100V漏极到源极电压Vdss,该器件具有FET特性标准,25°C的电流连续漏极Id为750mA,最大Id Vgs的Rds为1.4 Ohm@500mA,10V,Vgs最大Id为4V@250μa。
JATXV2N7373,带有Microse制造的用户指南。是IC芯片的一部分,双极(BJT)晶体管NPN 80V 5A 4W通孔TO-254AA,Trans-GP BJT NPN 80V5A 3引脚(3+Tab)TO-254。
JATXV2N918是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT NPN晶体管。JATXV2N918采用CAN封装,是晶体管-双极(BJT)-RF的一部分,支持双极晶体管-BJT NPN晶体管。