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1N5062TR是DIODE AVLANCHE 800V 2A SOD57,包括标准回收整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.013016盎司的包装,提供安装类型特征,如通孔,包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型,该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备的标准恢复时间>500ns,>200mA(Io)速度,该设备具有二极管型雪崩,电流反向泄漏Vr为1μa@800V,电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A,电压直流反向Vr Max为800V,电流平均整流Io为2A,反向恢复时间trr为4μs,电容Vr F为40pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~175°C,其最大工作温度范围为+175 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压在2.5A时为1.15 V,Vr反向电压为800 V,Ir反向电流为1 uA,如果正向电流为2A,最大浪涌电流为50A,恢复时间为4000ns。
1N5062TAP是DIODE AVLANCHE 800V 2A SOD57,包括800V Vr反向电压,它们设计为在1.15V@2.5A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于800V的电压直流反向Vr Max,它提供了2.5A时1.15 V的正向电压特性,单位重量设计为0.013016盎司,以及SOD-57供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为4μs,该设备的恢复时间为4000 ns,该设备具有标准的产品恢复整流器,包装为磁带盒(TB),包装箱为SOD-57,轴向,其工作温度结范围为-55°C~175°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为50 A,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为1 uA,如果正向电流为2 A,二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为1μA@800V,电流平均整流Io为2A,配置为单一,电容Vr F为40pF@0V,1MHz。
1N5062GPHE3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC,包括15pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@800V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于通孔,它的工作温度范围为-65°C~175°C,该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外,包装为磁带盒(TB),该设备以2μs反向恢复时间trr提供,该设备具有系列的SUPERECTIERR,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),供应商设备包为DO-204AC(DO-15),电压直流反向Vr最大值为800V,电压正向Vf最大值为1.2V@1A。
1N5075,带有NS制造的EDA/CAD模型。1N5075在TSOP-16封装中提供,是IC芯片的一部分。