9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的APT13003DU-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT13003DU-E1参考价格为0.228美元。Diodes Incorporated APT13003DU-E1包装/规格：TRANS NPN 450V 1.5A TO126。您可以下载APT13003DU-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT12M80B是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括卷轴封装，它们设计用于0.229281盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及单配置，该设备也可用于335 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为18 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为13 a，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，Vgs栅-源极阈值电压为4 V，Rds导通漏极-源极电阻为800m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为80nC，正向跨导最小值为11S，沟道模式为增强。
APT12F60K是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括2.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为37 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为14 ns，器件的漏极-源极电阻为620 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为55 nC，Pd功耗为225 W，通道数为1通道，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为12 a，并且下降时间是11ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
APT13003DI-G1是TRANS NPN 450V 1.5A TO251，包括1.5A集流器Ic Max，它们设计为在5@1A、2V DC电流增益hFE Min Ic Vce下工作，数据表注释中显示了4MHz下使用的频率转换，提供安装类型功能，如通孔，封装外壳设计用于to-251-3短引线、IPak、to-251AA以及管封装，该器件也可以用作24W最大功率。此外，该系列为APT13003，该器件在TO-251供应商器件包中提供，该器件具有晶体管型NPN，Vce饱和最大Ib Ic为400mV@250mA，1A，集电极-发射极击穿最大值为450V。
APT12M80S带有APT制造的EDA/CAD模型。APT12M80 S采用TO-268封装，是IC芯片的一部分。
