特色
高直流电流增益：hFE=1000至3200。低VCE（sat）：（VCE（sat）=0.07 V TYP）。
2SC3624-T1B-A
- 描述:晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 150毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 250MHz 供应商设备包装: SC-59
- 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥2.30324
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.30
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规格参数
- 晶体管类别 NPN
- 集电极最大截止电流 100nA（ICBO）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 最大功率 200毫瓦
- 特征频率 250MHz
- 最大集电极电流 (Ic) 150毫安
- 集电极击穿电压 50 V
- 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 5毫安, 50毫安
- 供应商设备包装 SC-59
- 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
- 部件状态 上次购买
- 最小直流增益 1000@1毫安，5V
2SC3624-T1B-A 产品详情
2SC3624-T1B-A 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 2SC5231C9-TL-E | 安盛美 (onsemi) | 2SC5231 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA | ¥1.20522 |
| 2SC4901YK-TR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4731 - BIPOLAR NPN TRANSISTOR | ¥3.58712 |
| 2SC3380ASTR-E | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE | ¥2.20329 |
 | 2SC2619FCTL-E | 瑞萨电子 (Renesas) | SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, | ¥1.08644 |
 | 2SC5300 | 安盛美 (onsemi) | POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN | ¥33.17248 |
| 2SCR513RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 1A 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 360兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥4.63546 |
| 2SCR514RHZGTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 700 mA 集电极击穿电压: 80 V 最大功率: 500 mW 特征频率: 320兆赫 供应商设备包装: TSMT3 | ¥5.14246 |
| 2SC4942-T1-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-T1-AZ - NPN SILICON TRIP | ¥8.37185 |
| 2SC4942-AZ | 瑞萨电子 (Renesas) | 2SC4942-AZ - NPN SILICON TRIPLE | ¥8.37185 |
 | 2SCR522EBTL | 罗姆 (Rohm) | 晶体管类别: NPN 最大集电极电流 (Ic): 200毫安 集电极击穿电压: 20伏 最大功率: 150 mW 特征频率: 400MHz 供应商设备包装: EMT3F（SOT-416FL） | ¥1.23129 |
2SC3624-T1B-A所属分类：分立双极结型晶体管，2SC3624-T1B-A 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2SC3624-T1B-A价格参考￥2.303242，你可以下载 2SC3624-T1B-A中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2SC3624-T1B-A规格参数、现货库存、封装信息等信息！
瑞萨电子 (Renesas)
Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新，使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式&mdash；安全可靠。作为微控制器...
