9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的2N4239，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N4239参考价格为39.21000美元。Microchip Technology 2N4239封装/规格：NPN中功率硅晶体管。您可以下载2N4239英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N4237是TRANS NPN 40V 3A TO-39，包括2N4237系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于BK的零件别名，该BK提供了通孔等安装方式功能，包装箱设计用于TO-39以及6W Pd功耗，其最大工作温度范围为+200℃，它的最低工作温度范围为-65℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为40 V，该器件具有晶体管极性NPN，集电极-发射器饱和电压为600 mV，集电极基极电压VCBO为50 V，发射极基极电压VEBO为6 V，最大直流集电极电流为3 a，增益带宽乘积fT为2 MHz，并且DC集电极基极增益hfe Min在1A 1 V时为30，并且DC电流增益hfe Max为150。
2N4238是双极晶体管-BJT NPN Gen Pur SS，包括NPN晶体管极性，它们设计为与2N4238系列一起工作，Pd功耗显示在数据表注释中，用于6 W，提供零件别名功能，如BK，封装设计为批量工作，以及to-39封装盒，该设备也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为3A，增益带宽积fT为2 MHz，发射极基极电压VEBO为6 V，直流电流增益hFE Max为150，直流集电极基极增益hFE Min为30，集电极-发射极电压VCEO Max为60 V，集电极-发射极饱和电压为0.6V，集电极-基极电压VCBO为80V。
2N4236是双极晶体管-BJT PNP放大器/开关，包括80 V集电极基极电压VCBO，它们设计为在600 mV集电极-发射极饱和电压下工作，数据表中显示了用于80 V的集电极-发射器电压VCEO最大值，其提供了配置功能，如单级直流集电极基基增益hfe最小值设计为在250 mA 1 V时工作30，该器件还可以用作7V发射极基极电压VEBO。此外，增益带宽产品fT为3 MHz，该器件的最大直流集电极电流为1 A，该器件具有安装型通孔，封装外壳为TO-39，封装为散装，零件别名为BK，系列为2N4236，晶体管极性为PNP。
