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PDTA123JQAZ

  • 描述:晶体管类别: PNP-预偏 最大集电极电流 (Ic): 100毫安 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 280毫瓦 特征频率: 180兆赫 供应商设备包装: DFN1010D-3
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 5000

数量 单价 合计
5000+ 0.35468 1773.42500
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  • 单价: ¥0.35469
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 集电极击穿电压 50 V
  • 安装类别 表面安装
  • 最大集电极电流 (Ic) 100毫安
  • 发射极电阻 (R2) 47 kOhms
  • 基极电阻 (R1) 2.2千欧姆
  • 晶体管类别 PNP-预偏
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 集电极最大截止电流 1.A.
  • 最小直流增益 100@10毫安,5V
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 100mV@250A、 5毫安
  • 特征频率 180兆赫
  • 包装/外壳 3-XDFN外露衬垫
  • 供应商设备包装 DFN1010D-3
  • 最大功率 280毫瓦

PDTA123JQAZ 产品详情

PDTA123JQAZ所属分类:单个预偏置双极晶体管,PDTA123JQAZ 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PDTA123JQAZ价格参考¥0.354685,你可以下载 PDTA123JQAZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PDTA123JQAZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

安世半导体 (Nexperia)

Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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