9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX2N4931，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX2N4931参考价格$2.694。Microchip Technology JATX2N4931包装/规格：TRANS PNP 250V 0.2A TO-39。您可以下载JATX2N4931英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX2N4859是JFET N-CH 30V 360MW TO-18，包括散装包装，设计用于TO-206AA、TO-18-3金属罐包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-18等供应商设备包装功能，FET类型设计用于N通道，以及360MW最大功率，该器件也可以用作30V电压击穿V BRGSS。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供175mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，该器件具有10V@500pA电压切断Vgs关断Id，输入电容Ciss Vds为18pF@10V（Vgs），电阻RDS开为25欧姆。
JATX2N4857是JFET N-CH 40V 360MW TO-18，包括6V@500pA电压切断VGS关断Id，设计用于40V电压击穿V BRGSS，数据表说明中显示了用于TO-18的供应商设备包，提供电阻RDS开启功能，如40欧姆，功率最大设计用于360MW，以及散装包装，该装置也可用作TO-206AA、TO-18-3金属罐包装盒。此外，安装类型为通孔，该器件提供18pF@10V（VGS）输入电容Ciss Vds，该器件具有FET型N沟道，漏极到源极电压Vdss为40V，电流漏极Idss Vds VGS=0为100mA@15V。
带有电路图的JATX2N4857UB，包括100mA@15V电流漏极Idss Vds Vgs=0，它们设计用于40V漏极到源极电压Vdss，FET类型如数据表注释所示，用于N通道，提供18pF@10V（Vgs）等输入电容Ciss Vds特性，安装类型设计用于表面安装，以及3-SMD、无引线封装外壳，该装置也可以用作散装包装。此外，最大功率为360mW，该设备提供40欧姆电阻RDS On，该设备具有供应商设备包UB，电压击穿V BRGSS为40V，电压切断VGS关闭Id为6V@500pA。
Jantx2N4930是由Microsemi制造的双极晶体管-BJT PNP晶体管。Jantx2N4930在CAN封装中提供，是晶体管-双极（BJT）-RF的一部分，并支持双极晶体管-BJT PNP晶体管、Trans-GP双极PNP 200V 0.2A 3引脚TO-39。
