9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DNLS412E-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DNLS412E-13参考价格为0.56000美元。Diodes Incorporated DNLS412E-13包装/规格：TRANS NPN 12V 4A SOT-223。您可以下载DNLS412E-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DNLS350E-13是TRANS NPN 50V 3A SOT-223，包括DNLS350系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及表面安装安装类型，该设备也可以用作SOT-223供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为1W，该设备具有晶体管型NPN，集电极Ic最大值为3A，集电极-发射极击穿最大值为50V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为100@2A，2V，Vce饱和最大值Ib Ic为290mV@200mA，2A，集电极截止最大值为100nA（ICBO），频率转换为100MHz，Pd功耗为1000mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为50 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为290 mV，集电极基极电压VCBO为60 V，且发射极基极电压VEBO为6V，且最大DC集电极电流为3A，且增益带宽乘积fT为100MHz，且连续集电极电流是3A，且DC集电极基极增益hfe Min在2V时为2A时为100，且DC电流增益hfe Max在2V下为0.5A时为200。
DNLS350Y-13是TRANS NPN 50V 3A SOT89-3，包括50V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在370mV@300mA、3A Vce饱和最大Ib Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.001834 oz的晶体管，提供NPN等晶体管类型功能，晶体管极性设计为在PNP中工作，以及SOT-89-3供应商设备包，该设备也可以用作DNLS350系列。此外，功率最大值为1W，该器件提供1000 mW Pd功耗，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为TO-243AA，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+150 C，最大直流集电极电流为5A，增益带宽积fT为100MHz，频率转换为100MHz；发射极基极电压VEBO为5V，直流电流增益hFE Min Ic Vce为300@1A、2V，直流电流最大增益hFE Max为300（0.1A，2V），直流集电极基极增益hFE Min为1003A（2V），并且集电极截止电压最大值为100nA，并且配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为50V，集电极发射极饱和电压为370mV，集电极基极电压VCBO为50V。
DNLS350Y，电路图由DIODES制造。DNLS350Y在SOT89-3L封装中提供，是晶体管（BJT）-单体的一部分。
