该设备采用平面技术制造,具有“基岛”布局和
单片达林顿配置。由此产生的晶体管显示出极高的增益
性能与非常低的饱和电压耦合。
特征
1.低集电极-发射极饱和电压
2.互补NPN–PNP晶体管
特色
- 低集电极-发射极饱和电压
- 互补NPN-PNP晶体管
起订量: 1
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该设备采用平面技术制造,具有“基岛”布局和
单片达林顿配置。由此产生的晶体管显示出极高的增益
性能与非常低的饱和电压耦合。
特征
1.低集电极-发射极饱和电压
2.互补NPN–PNP晶体管
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