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MMBT6515是TRANS NPN 25V 0.2A SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于MMBT6515_NL零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002116盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及表面安装安装类型，该装置也可以用作SOT-23-3（TO-236）供应商装置包。此外，该配置为单一配置，该设备的最大功率为350mW，该设备具有晶体管型NPN，集电器Ic最大值为200mA，集电器-发射极击穿最大值为25V，直流电流增益hFE最小Ic Vce为250@2mA，10V，Vce饱和最大值Ib Ic为500mV@5mA，50mA，集电器截止最大值为50nA（ICBO），Pd功耗为540 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为-30 V，晶体管极性为NPN，集电极/发射极饱和电压为0.5 V，集电极基极电压VCBO为-50 V，发射极基极电压VEBO为4 V，且最大DC集电极电流为0.2A，且连续集电极电流是0.2A，并且DC集电极基本增益hfe Min是250，且DC电流增益hfe Max是500。
MMBT6517LT1G是TRANS NPN 350V 0.1A SOT23，包括0.050717 oz单位重量，它们设计用于NPN晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于MMBT6517 L，提供Pd功率耗散功能，如225 mW，包装设计用于卷筒，以及SOT-23-3封装盒，该设备也可以用作SMD/SMT安装类型，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为0.5 a，增益带宽积fT为200 MHz，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe Min为20，连续集电极电流是0.5 a，配置为单级，集电极-发射极电压VCEO Max为350V，集电极-发射器饱和电压为1V，集极基极电压VCBO为350V。
MMBT6429T1，电路图由MOT制造。MMBT6429T1采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
MMBT6517LT1是ON公司制造的TRANS NPN 350V 0.1A SOT23。MMBT6517 LT1有TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是晶体管（BJT）-单体的一部分，支持TRANS NPV 350V 0.1B SOT23、TRANS GP BJT NPN 350A 0.1A 300mW 3引脚SOT-23 T/R。
