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DRDNB26W-7

  • 描述:晶体管类别: NPN-预偏置+二极管 最大集电极电流 (Ic): 600 mA 集电极击穿电压: 50 V 最大功率: 200毫瓦 特征频率: 200兆赫 供应商设备包装: SOT-363
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥1.35710
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.36
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规格参数

  • 集电极击穿电压 50 V
  • 集电极最大截止电流 500nA
  • 最大功率 200毫瓦
  • 安装类别 表面安装
  • 发射极电阻 (R2) 4.7 kOhms
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大集电极电流 (Ic) 600 mA
  • 最大饱和压降 (Vce @Ib,Ic) 300mV @ 2.5毫安, 50毫安
  • 特征频率 200兆赫
  • 包装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • 供应商设备包装 SOT-363
  • 部件状态 过时的
  • 晶体管类别 NPN-预偏置+二极管
  • 最小直流增益 47 @ 50毫安, 5V
  • 基极电阻 (R1) 220欧姆

DRDNB26W-7 产品详情

DRDNB26W-7所属分类:单个预偏置双极晶体管,DRDNB26W-7 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DRDNB26W-7价格参考¥1.357102,你可以下载 DRDNB26W-7中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DRDNB26W-7规格参数、现货库存、封装信息等信息!

达尔科技 (Diodes rporated)

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