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DMP3085LSD-13

  • 描述:场效应管类型: 2个P通道(双通道) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.9A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 场效应管特性 逻辑电平门
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管类型 2个P通道(双通道)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.9A
  • 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 5.3A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 563皮法 @ 25V
  • 最大功率 1.1瓦
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 供应商设备包装 8-SO

DMP3085LSD-13 产品详情

P沟道MOSFET,30V,二极管公司

DMP3085LSD-13所属分类:场效应晶体管阵列,DMP3085LSD-13 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。DMP3085LSD-13价格参考¥1.187836,你可以下载 DMP3085LSD-13中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询DMP3085LSD-13规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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