9icnet为您提供由其他公司设计和生产的FDC655N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDC655N的参考价格为0.19000美元。其他FDC655N封装/规格：N沟道，MOSFET。您可以下载FDC655N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDC655BN是MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6，包括PowerTrenchR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于FDC655BN_NL的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001270盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件包为SuperSOT-6，且配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物，最大功率为800mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为570pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为6.3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@6.3A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为15nC@10V，Pd功耗为1.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4 ns，上升时间为4纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为25mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
带有用户指南的FDC655BN_F123，包括30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.001270盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及25 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作1.6W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用SSOT-6封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为8 a，配置为单一。
FDC655BN_NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDC655BN_NL在SOT23-6封装中提供，是IC芯片的一部分。
FDC655BN-NL，带有FSC制造的EDA/CAD模型。FDC655BN-NL在SOP封装中提供，是IC芯片的一部分。
