9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI5902BDC-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI5902BDC-T1-GE3价格参考1.38000美元。Vishay Siliconix SI5902BDC-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8。您可以下载SI5902BDC-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如SI5902BDC-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SI5902BDC-T1-E3是MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作。数据表注释中显示了SI5902BDC E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.002998盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及8-SMD扁平引线封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为1206-8 ChipFET？，并且配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为3.12W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis Vds为220pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，Rds On Max Id Vgs为65 mOhm@3.1A，10V，Vgs th Max Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7nC@10V，Pd功耗为1.5W，其最大工作温度范围为+150℃，其最小工作温度范围是-55℃，下降时间为80ns 12ns，上升时间为80ns12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极-源极电阻为65mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns 10ns，典型接通延迟时间为15ns 4ns，沟道模式为增强。
SI5856DC-T1是由VISHAY制造的Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8引脚片式FET T/R。SI5856DC-T1提供1206-8封装，是FET的一部分-单，支持Trans-MOSFET N-CH 20V 4.4A 8引脚芯片FET T/R。
SI5856DC-T1-E3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8。SI5856DC-T1-E3采用8-SMD扁平引线封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 20V 4.4A 1206-8、N沟道20V 4.4A（Ta）1.1W（Ta）表面安装1206-8 ChipFET？，Trans MOSFET N-CH 20V 4.4A 8引脚片式FET T/R。
