9icnet为您提供由其他公司设计和生产的RFD14LN05SM，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RFD14LN05SM参考价格为0.24000美元。其他RFD14LN05SM封装/规格：N沟道功率MOSFET。您可以下载RFD14LN05SM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RFD14LN05SM价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RFD12N06RLESM9A是MOSFET N-CH 60V 18A DPAK，包括UltraFET？系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，数据表注释中显示了RFD12N06RLESM9A_NL中使用的零件别名，该RFD12N06 RLESM9A-NL提供单位重量功能，例如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3、DPak（2引线+标签）、SC-63封装盒，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为TO-252-3，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为49W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为485pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为18A（Tc），最大Id Vgs的Rds为63mOhm@18A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@10V，Pd功耗为49W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为37 ns 50 ns，上升时间为89 ns 34 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为75 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22 ns 41 ns，典型开启延迟时间为13ns 5.3ns，信道模式为增强。
RFD12N06RLE是FSC制造的MOSFET N-CH 60V 18A IPAK。RFD12N06RLE以TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装形式提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 18A IPak、N沟道60V 18B（Tc）40W（Tc）通孔TO-251AB。
RFD12N06RLESM，带有HARRIS制造的电路图。RFD12N06RLESM采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
RFD140N05L，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。RFD140N05L采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
