9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7956DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7956DP-T1-GE3参考价格为3.32000美元。Vishay Siliconix SI7956DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7956DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如SI7956DP-T1-GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
Si7956DP-T1-E3是MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于Si7956DP-E3的零件别名，该Si7956DP E3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及PowerPAKR SO-8双封装外壳，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8双通道，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），最大功率为1.4W，晶体管类型为2 N-通道，漏极到源极电压Vdss为150V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.6A，最大Id Vgs上的Rds为105 mOhm@4.1A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26nC@10V，Pd功耗为1.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为36纳秒，上升时间为36 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds导通-漏极电阻为105毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为18 ns，并且典型的开启延迟时间是13ns，并且信道模式是增强。
SI7949DP-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-60 V，具有0.017870 oz等单位重量特性，晶体管类型设计为在2个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为PowerPAKR SO-8 Dual，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有64mOhm@5A、10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为64mOhms，功率最大值为1.5W，Pd功耗为1.5W；零件别名为SI7949DP-GE3，包装为Digi-ReelR Alternative Packaging，封装外壳为PowerPAKR SO-8 Dual，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏电流为3.2A，栅极电荷Qg Vgs为40nC@10V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为60V，电流连续漏极Id 25°C为3.2A，配置为双。
SI7956DP，带有SI制造的电路图。SI7956DP以QFN-8封装形式提供，是FET阵列的一部分。
