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FQT1N60CTF
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FQT1N60CTF

  • 描述:MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4
  • 品牌:
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1069

数量 单价 合计
1069+ 2.02801 2167.94482
  • 库存: 30861
  • 单价: ¥2.02801
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,167.94
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 -
  • 场效应管特性 -
  • 漏源电压标 (Vdss) -
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 -
  • 导通电阻 Rds(ON) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
  • 最大功率 -
  • 工作温度 -
  • 安装类别 -
  • 包装/外壳 -
  • 供应商设备包装 -
  • 制造厂商

FQT1N60CTF 产品详情

该N沟道增强型功率MOSFET使用Fairchild半导体的专有平面条纹和DMOS技术生产。这种先进的MOSFET技术特别适合于降低导通电阻,并提供优异的开关性能和高雪崩能量强度。这些设备适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。

特色

  • 0.2A,600V,RDS(开启)=9.3Ω(典型)@VGS=10 V,ID=0.1A
  • 低栅极电荷(典型值4.8nC)
  • 低铬(典型值3.5pF)
  • 100%雪崩测试
  • 符合RoHS

应用

  • 照明
FQT1N60CTF所属分类:场效应晶体管阵列,FQT1N60CTF 由 设计生产,可通过久芯网进行购买。FQT1N60CTF价格参考¥2.028012,你可以下载 FQT1N60CTF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FQT1N60CTF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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